
极性 NPN
耗散功率 0.1 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 30
最大电流放大倍数hFE 30
额定功率Max 100 mW
工作温度Max 150 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SC-70
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 0.9 mm
封装 SC-70
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free

RN1301TE85L,F引脚图

RN1301TE85L,F封装图

RN1301TE85L,F封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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RN1301TE85L,F | Toshiba 东芝 | 双极晶体管 - 预偏置 100mA 50volts 3Pin 4.7K x 4.7Kohms | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: RN1301TE85L,F 品牌: Toshiba 东芝 封装: USM NPN | 当前型号 | 双极晶体管 - 预偏置 100mA 50volts 3Pin 4.7K x 4.7Kohms | 当前型号 | |
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型号: FJY4005R 品牌: 飞兆/仙童 封装: SC-89 PNP -50V -100mA 200mW | 功能相似 | PNP外延硅晶体管 PNP Epitaxial Silicon Transistor | RN1301TE85L,F和FJY4005R的区别 | |
型号: PDTC143EE,115 品牌: 恩智浦 封装: SOT-416 NPN 150mW | 功能相似 | NXP PDTC143EE,115 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, 1 电阻比率, SOT-416 | RN1301TE85L,F和PDTC143EE,115的区别 |