RN1102MFV,L3F

Toshiba(东芝) 分立器件

VESM NPN 50V 100mA

- 双极 BJT - 单，预偏置 NPN - 预偏压 50 V 100 mA 150 mW 表面贴装型 VESM

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TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM

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RN1102MFV,L3F

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Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin VESM T/R

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Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin VESM T/R

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TRANS PREBIAS NPN 50V 0.15W VESM

RN1102MFV,L3F中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

耗散功率 0.15 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 50 @10mA, 5V

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-723

外形尺寸

封装 SOT-723

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

RN1102MFV,L3F引脚图与封装图

RN1102MFV,L3F引脚图

RN1102MFV,L3F封装图

RN1102MFV,L3F封装焊盘图

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