RB520S30,115
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
RB520S30,115中文资料参数规格
技术参数
正向电压 600mV @200mA
热阻 90℃/W RθJL
正向电流Max 0.2 A
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
工作结温 150℃ Max
耗散功率Max 500 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 SOD-523
外形尺寸
封装 SOD-523
物理参数
工作温度 150 ℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
香港进出口证 NLR
RB520S30,115引脚图与封装图
暂无图片
在线购买RB520S30,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| RB520S30,115 | NXP 恩智浦 | RB520S30 系列 200 mA 低 VF MEGA 肖特基势垒整流器 - SOD-523 | 搜索库存 |
替代型号RB520S30,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： RB520S30,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： SC-79 | 当前型号 | RB520S30 系列 200 mA 低 VF MEGA 肖特基势垒整流器 - SOD-523 | 当前型号 |
| 型号： BAT54XV2T1G 品牌： 安森美 封装： SOD-523 30V 200mA | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR BAT54XV2T1G 小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 125 °C | RB520S30,115和BAT54XV2T1G的区别 |
| 型号： RB520S30T1G 品牌： 安森美 封装： SOD-523 30V 200mA | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR RB520S30T1G 小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 200 mA, 600 mV, 200 mA, 150 °C | RB520S30,115和RB520S30T1G的区别 |
| 型号： RB521S30T1G 品牌： 安森美 封装： SOD-523 30V 200mA | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR RB521S30T1G 小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 200 mA, 500 mV, 1 A, 125 °C | RB520S30,115和RB521S30T1G的区别 |