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RJH65D27BDPQ-A0#T0

Renesas Electronics 瑞萨电子 分立器件

IGBT 650V

IGBT


得捷:
IGBT 650V


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 375000mW


RJH65D27BDPQ-A0#T0中文资料参数规格
技术参数

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 375000 mW

封装参数

封装 -

外形尺寸

封装 -

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

RJH65D27BDPQ-A0#T0引脚图与封装图
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