RGT60TS65DGC11

ROHM Semiconductor 罗姆半导体分立器件

ROHM RGT60TS65DGC11 单晶体管, IGBT, 场截止沟道, 55 A, 1.65 V, 194 W, 650 V, TO-247N, 3 引脚

IGBT Trench Field Stop 650V 55A 194W Through Hole TO-247N

得捷:
IGBT 650V 55A 194W TO-247N

e络盟:
单晶体管, IGBT, 场截止沟道, 55 A, 1.65 V, 194 W, 650 V, TO-247N, 3 引脚

Newark:
# ROHM RGT60TS65DGC11 IGBT, SINGLE, 650V, 55A, TO-247N-3

RGT60TS65DGC11中文资料参数规格

技术参数

额定功率 194 W

针脚数 3

耗散功率 194 W

击穿电压集电极-发射极 650 V

反向恢复时间 58 ns

额定功率Max 194 W

工作温度Max 175 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

RGT60TS65DGC11引脚图与封装图

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