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RGT80TS65DGC11

RGT80TS65DGC11

数据手册.pdf
ROHM Semiconductor 罗姆半导体 分立器件

ROHM  RGT80TS65DGC11  单晶体管, IGBT, 场截止沟道, 70 A, 1.65 V, 234 W, 650 V, TO-247N, 3 引脚

IGBT Trench Field Stop 650V 70A 234W Through Hole TO-247N


得捷:
IGBT 650V 70A 234W TO-247N


贸泽:
IGBT Transistors 650V 40A IGBT Stop Trench


e络盟:
单晶体管, IGBT, 场截止沟道, 70 A, 1.65 V, 234 W, 650 V, TO-247N, 3 引脚


安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 70A 3-Pin TO-247N Tube


Newark:
# ROHM  RGT80TS65DGC11  IGBT, SINGLE, 650V, 70A, TO-247N-3


儒卓力:
**IGBT 650V 40A 1,65V TO247N **


RGT80TS65DGC11中文资料参数规格
技术参数

额定功率 234 W

针脚数 3

耗散功率 234 W

击穿电压集电极-发射极 650 V

反向恢复时间 58 ns

额定功率Max 234 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 40 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

RGT80TS65DGC11引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
RGT80TS65DGC11 ROHM Semiconductor 罗姆半导体 ROHM  RGT80TS65DGC11  单晶体管, IGBT, 场截止沟道, 70 A, 1.65 V, 234 W, 650 V, TO-247N, 3 引脚 搜索库存