RGTH40TS65GC11

ROHM Semiconductor 罗姆半导体分立器件

ROHM RGTH40TS65GC11 单晶体管, IGBT, 场截止沟道, 40 A, 1.6 V, 144 W, 650 V, TO-247N, 3 引脚

IGBT 沟槽型场截止 650 V 40 A 144 W 通孔 TO-247N

得捷:
IGBT TRNCH FIELD 650V 40A TO247N

欧时:
IGBT N-Channel 40A 650V Trench TO-247

e络盟:
单晶体管, IGBT, 场截止沟道, 40 A, 1.6 V, 144 W, 650 V, TO-247N, 3 引脚

安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 40A 3-Pin TO-247N Tube

Newark:
# ROHM RGTH40TS65GC11 IGBT, SINGLE, 650V, 40A, TO-247N-3

RGTH40TS65GC11中文资料参数规格

技术参数

额定功率 144 W

针脚数 3

耗散功率 144 W

击穿电压集电极-发射极 650 V

额定功率Max 144 W

工作温度Max 175 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

RGTH40TS65GC11引脚图与封装图

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