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RFD16N05SM9A

RFD16N05SM9A

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件
RFD16N05SM9A中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 16.0 A

针脚数 3

漏源极电阻 47 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 72 W

阈值电压 4 V

输入电容 900 pF

栅电荷 45.0 nC

漏源极电压Vds 50 V

漏源击穿电压 50.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 16.0 mA

上升时间 30 ns

输入电容Ciss 900pF @25VVds

额定功率Max 72 W

下降时间 30 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 72W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.39 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

RFD16N05SM9A引脚图与封装图
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在线购买RFD16N05SM9A
型号 制造商 描述 购买
RFD16N05SM9A Fairchild 飞兆/仙童 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  RFD16N05SM9A  晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 50 V, 47 mohm, 10 V, 4 V 搜索库存
替代型号RFD16N05SM9A
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: RFD16N05SM9A

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: TO-252 N-Channel 50V 16mA 47mohms 900pF

当前型号

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  RFD16N05SM9A  晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 50 V, 47 mohm, 10 V, 4 V

当前型号

型号: RFD16N05SM

品牌: 飞兆/仙童

封装: TO-252-3 N-Channel 50V 16A 47mohms 900pF

类似代替

16A , 50V , 0.047 Ohm的N通道功率MOSFET 16A, 50V, 0.047 Ohm, N-Channel Power MOSFETs

RFD16N05SM9A和RFD16N05SM的区别