额定电压DC 50.0 V
额定电流 16.0 A
针脚数 3
漏源极电阻 47 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 72 W
阈值电压 4 V
输入电容 900 pF
栅电荷 45.0 nC
漏源极电压Vds 50 V
漏源击穿电压 50.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 16.0 mA
上升时间 30 ns
输入电容Ciss 900pF @25VVds
额定功率Max 72 W
下降时间 30 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 72W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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RFD16N05SM9A | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR RFD16N05SM9A 晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 50 V, 47 mohm, 10 V, 4 V | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: RFD16N05SM9A 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: TO-252 N-Channel 50V 16mA 47mohms 900pF | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR RFD16N05SM9A 晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 50 V, 47 mohm, 10 V, 4 V | 当前型号 | |
型号: RFD16N05SM 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-252-3 N-Channel 50V 16A 47mohms 900pF | 类似代替 | 16A , 50V , 0.047 Ohm的N通道功率MOSFET 16A, 50V, 0.047 Ohm, N-Channel Power MOSFETs | RFD16N05SM9A和RFD16N05SM的区别 |