RQJ0301HGDQS#H3
数据手册.pdf
Renesas Electronics
瑞萨电子
分立器件
RQJ0301HGDQS#H3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.038 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 5 W
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 5.2A
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-89
外形尺寸
封装 SOT-89
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
RQJ0301HGDQS#H3引脚图与封装图
暂无图片
在线购买RQJ0301HGDQS#H3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| RQJ0301HGDQS#H3 | Renesas Electronics 瑞萨电子 | RENESAS RQJ0301HGDQS#H3 晶体管, MOSFET, P沟道, -5.2 A, -30 V, 0.038 ohm, -10 V | 搜索库存 |