RPI-441C1E
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
工业控制
RPI-441C1E中文资料参数规格
技术参数
正向电压 1.4 V
波长 800 nm
耗散功率 80 mW
击穿电压集电极-发射极 30 V
正向电流 50 mA
正向电流Max 50 mA
下降时间 10 µs
下降时间Max 10000 ns
上升时间Max 10000 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -25 ℃
耗散功率Max 80 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 4
封装 Module, PC Pins, Slot Type
外形尺寸
封装 Module, PC Pins, Slot Type
物理参数
工作温度 -25℃ ~ 85℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
RPI-441C1E引脚图与封装图 
RPI-441C1E引脚图
RPI-441C1E封装图
RPI-441C1E封装焊盘图
在线购买RPI-441C1E
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| RPI-441C1E | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | RPI-441C1E Series 950nm 30mA Photointerfupter Small Type - DIP-4 | 搜索库存 |
替代型号RPI-441C1E
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： RPI-441C1E 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： Module | 当前型号 | RPI-441C1E Series 950nm 30mA Photointerfupter Small Type - DIP-4 | 当前型号 |
| 型号： RPI-441C1 品牌： 罗姆半导体 封装： PCB 800nm | 功能相似 | RPI 系列红外 LED 和光电晶体管 印刷电路板安装 ### 槽形光学开关和反射传感器 | RPI-441C1E和RPI-441C1的区别 |