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RN55D1002FRE6
RN55D1002FRE6中文资料参数规格
技术参数

额定功率 125 mW

电阻 10 kΩ

阻值偏差 ±1 %

额定电压 200 V

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 Axial Leaded

外形尺寸

封装 Axial Leaded

物理参数

温度系数 ±100 ppm/℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

RN55D1002FRE6引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
RN55D1002FRE6 Vishay Semiconductor 威世 VISHAY  RN55D1002FRE6  金属膜电阻, 10KΩ, 125 mW 搜索库存
替代型号RN55D1002FRE6
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: RN55D1002FRE6

品牌: Vishay Semiconductor 威世

封装: Axial

当前型号

VISHAY  RN55D1002FRE6  金属膜电阻, 10KΩ, 125 mW

当前型号

型号: RN55D1002FB14

品牌: 威世

封装:

类似代替

VISHAY  RN55D1002FB14  通孔电阻器, RN系列, 10 kohm, 125 mW, ± 1%, 200 V, 轴向引线

RN55D1002FRE6和RN55D1002FB14的区别

型号: RN55D1002F

品牌: International Resistive

封装: Axial 10kΩ 125mW ±1%

类似代替

INTERNATIONAL RESISTIVE  RN55D1002F  金属釉面电阻, 10KΩ, 125mW, 1%

RN55D1002FRE6和RN55D1002F的区别