PMH600UNEH

Nexperia(安世) 电子元器件分类

晶体管, MOSFET, N沟道, 800 mA, 20 V, 0.47 ohm, 4.5 V, 700 mV

表面贴装型 N 通道 20 V 800mA（Ta） 370mW（Ta），2.2W（Tc） DFN0606-3

得捷:
MOSFET N-CH 20V 800MA DFN0606-3

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PMH600UNEH

e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 V, 800 mA, 0.47 ohm, DFN0606, 表面安装

PMH600UNEH中文资料参数规格

技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.47 Ω

耗散功率 370 mW

阈值电压 700 mV

输入电容 21 pF

漏源极电压Vds 20 V

工作温度Max 150 ℃

封装参数

封装 DFN0606-3

外形尺寸

封装 DFN0606-3

物理参数

工作温度 150 ℃

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

PMH600UNEH引脚图与封装图

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