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PSMN8R7-100YSFX

Nexperia(安世) 电子元器件分类

晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 100 V, 0.0072 ohm, 10 V, 3.1 V

NextPower 100V MOSFET更小, 更快, 运行温度更低, 并针对快速开关, 低尖峰, 高效率进行了优化。NextPower NextPower 100V T8采用深沟槽和电荷平衡结构 resurf, LFPAK56 SOT669 & SOT1023, TO-220 & TO-220 & I2PAK封装。具有超低Qrr, 在开关应用中实现高效率。


立创商城:
N沟道 100V 90A


得捷:
MOSFET N-CH 100V 100A LFPAK56


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 100 V, 90 A, 0.0072 ohm, SOT-669, 表面安装


艾睿:
NextPower 100 V, 9 mohm N-channel MOSFET in LFPAK56 package


PSMN8R7-100YSFX中文资料参数规格
技术参数

针脚数 4

漏源极电阻 0.0072 Ω

耗散功率 198 W

阈值电压 3.1 V

输入电容 2758 pF

漏源极电压Vds 100 V

工作温度Max 175 ℃

封装参数

引脚数 5

封装 SOT-669

外形尺寸

封装 SOT-669

物理参数

工作温度 175 ℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 医用

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

PSMN8R7-100YSFX引脚图与封装图
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