P6SMB39A R5G
数据手册.pdfTaiwan Semiconductor(台湾半导体)
电子元器件分类
P6SMB39A R5G中文资料参数规格
技术参数
工作电压 33.3 V
击穿电压 37.1 V
耗散功率 3 W
钳位电压 53.9 V
测试电流 1 mA
最大正向浪涌电流（Ifsm） 100 A
脉冲峰值功率 600 W
击穿电压 37.1 V
正向电压Max 5 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
工作结温 -55℃ ~ 150℃
封装参数
引脚数 2
封装 DO-214AA-2
外形尺寸
封装 DO-214AA-2
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
P6SMB39A R5G引脚图与封装图
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在线购买P6SMB39A R5G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| P6SMB39A R5G | Taiwan Semiconductor 台湾半导体 | ESD 抑制器/TVS 二极管 600W,39V,5%,UNI, TVS | 搜索库存 |
替代型号P6SMB39A R5G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： P6SMB39A R5G 品牌： Taiwan Semiconductor 台湾半导体 封装： | 当前型号 | ESD 抑制器/TVS 二极管 600W,39V,5%,UNI, TVS | 当前型号 |
| 型号： P6SMB39A 品牌： 伯恩斯 封装： | 类似代替 | Diode TVS Single Uni-Dir 33.3V 600W 2Pin SMB T/R | P6SMB39A R5G和P6SMB39A的区别 |
| 型号： SMBJ33A 品牌： 力特 封装： DO-214AA 33V 600W | 功能相似 | LITTELFUSE SMBJ33A TVS二极管, TVS, SMBJ系列, 单向, 33 V, 53.3 V, DO-214AA, 2 引脚 | P6SMB39A R5G和SMBJ33A的区别 |