P6KE9V1A-B
数据手册.pdfDiodes(美台)
分立器件
P6KE9V1A-B中文资料参数规格
技术参数
额定功率 600 W
击穿电压 8.65 V
钳位电压 13.4 V
最大反向电压（Vrrm） 7.78V
测试电流 1 mA
脉冲峰值功率 600 W
最小反向击穿电压 8.65 V
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
工作结温 -55℃ ~ 175℃
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 DO-15
外形尺寸
封装 DO-15
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
P6KE9V1A-B引脚图与封装图 
P6KE9V1A-B引脚图
P6KE9V1A-B封装图
P6KE9V1A-B封装焊盘图
在线购买P6KE9V1A-B
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| P6KE9V1A-B | Diodes 美台 | TVS 600W 7.78V UNIIDIRECT DO-15 | 搜索库存 |
替代型号P6KE9V1A-B
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： P6KE9V1A-B 品牌： Diodes 美台 封装： DO-15 600W | 当前型号 | TVS 600W 7.78V UNIIDIRECT DO-15 | 当前型号 |
| 型号： P6KE91A-T 品牌： 美台 封装： DO-15 600W | 类似代替 | Diode TVS Single Uni-Dir 77.8V 600W 2Pin DO-15 T/R | P6KE9V1A-B和P6KE91A-T的区别 |
| 型号： P6KE9V1A-T 品牌： 美台 封装： DO-15 600W | 类似代替 | TVS UNIDIR 600W 7.78V DO-15 | P6KE9V1A-B和P6KE9V1A-T的区别 |
| 型号： P6KE91A 品牌： 力特 封装： DO-15 9.1V 600W | 功能相似 | 硅雪崩二极管 - 硅雪崩二极管 Silicon Avalanche Diodes - Silicon Avalanche Diodes | P6KE9V1A-B和P6KE91A的区别 |