PBSS8110TVL

Nexperia(安世) 分立器件

100V, 1A NPN Low Vcesat Biss Transistor

- 双极 BJT - 单 NPN 100MHz 表面贴装型 TO-236AB

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PBSS8110T/SOT23/TO-236AB

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Bipolar Transistors - BJT PBSS8110T/TO-236AB/REEL 11" Q3

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100 V, 1 A NPN Low Vcesat Biss Transistor

PBSS8110TVL中文资料参数规格

技术参数

额定功率 0.3 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

PBSS8110TVL引脚图与封装图

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