PHT0805E1000FGT
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Vishay Sfernice
思芬尼
电子元器件分类
PHT0805E1000FGT中文资料参数规格
技术参数
容差 1 %
额定功率 60 mW
电阻 100 Ω
工作温度Max 215 ℃
工作温度Min -55 ℃
额定电压 150 V
封装参数
封装公制 2012
封装 0805
外形尺寸
长度 2 mm
宽度 1.2 mm
封装公制 2012
封装 0805
物理参数
工作温度 55℃ ~ 215℃
温度系数 ±30 ppm/℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
PHT0805E1000FGT引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PHT0805E1000FGT | Vishay Sfernice 思芬尼 | 薄膜电阻器 - SMD PHT 0805 E 1000 F G TR e4 | 搜索库存 |
替代型号PHT0805E1000FGT
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PHT0805E1000FGT 品牌： Vishay Sfernice 思芬尼 封装： | 当前型号 | 薄膜电阻器 - SMD PHT 0805 E 1000 F G TR e4 | 当前型号 |
| 型号： PHT0805E1000FG 品牌： 思芬尼 封装： | 完全替代 | Thin Film Resistors - SMD PHT 0805 E 1000F G WP e4 | PHT0805E1000FGT和PHT0805E1000FG的区别 |
| 型号： P0805K1000FN 品牌： 思芬尼 封装： | 类似代替 | Thin Film Resistors - SMD P 0805 K 1000F N WP e2 | PHT0805E1000FGT和P0805K1000FN的区别 |
