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PBHV8115X,115

PBHV8115X,115

数据手册.pdf
Nexperia(安世) 分立器件

单晶体管 双极, NPN, 150 V, 30 MHz, 1.5 W, 1 A, 10 hFE

The PBHV8115X is a 1A NPN breakthrough-in small signal BISS Transistor in a medium power and flat lead surface-mount plastic package. It offers die pad for good heat transfer.

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High voltage
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Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
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High collector current capability IC and ICM
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High collector current gain hFE at high IC
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AEC-Q101 qualified
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%4F Marking code
PBHV8115X,115中文资料参数规格
技术参数

频率 30 MHz

额定功率 0.52 W

针脚数 3

耗散功率 1.5 W

击穿电压集电极-发射极 150 V

最小电流放大倍数hFE 100 @50mA, 10V

额定功率Max 1.5 W

直流电流增益hFE 10

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-89-3

外形尺寸

封装 SOT-89-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 电机驱动与控制, 车用, 照明, 电源管理, 工业

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

PBHV8115X,115引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
PBHV8115X,115 Nexperia 安世 单晶体管 双极, NPN, 150 V, 30 MHz, 1.5 W, 1 A, 10 hFE 搜索库存