锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

PBSS302ND,115

PBSS302ND,115

数据手册.pdf
Nexperia(安世) 分立器件

低饱和电压 NPN 晶体管,Nexperia一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极晶体管,Nexperia

低饱和电压 NPN ,

一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。

### 双极晶体管,Nexperia


立创商城:
NPN 40V 4A


欧时:
NXP PBSS302ND,115 , NPN 晶体管, 4 A, Vce=40 V, HFE:50, 150 MHz, 6引脚 TSOP封装


得捷:
TRANS NPN 40V 4A 6TSOP


艾睿:
Trans GP BJT NPN 40V 4A 2500mW Automotive 6-Pin TSOP T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 40V 4A 6-Pin SC-74 T/R


PBSS302ND,115中文资料参数规格
技术参数

额定功率 0.36 W

击穿电压集电极-发射极 40 V

最小电流放大倍数hFE 250 @2A, 2V

额定功率Max 1.1 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 2.5 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-457

外形尺寸

长度 3.1 mm

宽度 1.7 mm

高度 1 mm

封装 SOT-457

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

PBSS302ND,115引脚图与封装图
暂无图片
在线购买PBSS302ND,115
型号 制造商 描述 购买
PBSS302ND,115 Nexperia 安世 低饱和电压 NPN 晶体管,Nexperia 一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极晶体管,Nexperia 搜索库存
替代型号PBSS302ND,115
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: PBSS302ND,115

品牌: Nexperia 安世

封装:

当前型号

低饱和电压 NPN 晶体管,Nexperia一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极晶体管,Nexperia

当前型号

型号: PBSS4440D,115

品牌: 安世

封装: 6-TSOP

类似代替

单晶体管 双极, NPN, 40 V, 150 MHz, 1.1 W, 4 A, 300 hFE

PBSS302ND,115和PBSS4440D,115的区别

型号: PBSS302NDH

品牌: 安世

封装:

类似代替

TRANS NPN 40V 4A 6TSOP

PBSS302ND,115和PBSS302NDH的区别