PBHV8515QAZ

Nexperia(安世) 分立器件

单晶体管双极, AEC-Q101, NPN, 150 V, 75 MHz, 325 mW, 500 mA, 100 hFE

Bipolar BJT Transistor NPN 150V 500mA 75MHz 325mW Surface Mount DFN1010D-3

得捷:
TRANS NPN 150V 0.5A DFN1010D-3

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NPN 150V 500mA

e络盟:
单晶体管双极, AEC-Q101, NPN, 150 V, 75 MHz, 325 mW, 500 mA, 100 hFE

艾睿:
Trans GP BJT NPN 150V 0.5A Automotive 3-Pin DFN-D EP

Verical:
Trans GP BJT NPN 150V 0.5A 1000mW Automotive 3-Pin DFN-D EP T/R

PBHV8515QAZ中文资料参数规格

技术参数

额定功率 0.325 W

针脚数 3

耗散功率 1 W

击穿电压集电极-发射极 150 V

最小电流放大倍数hFE 100 @200mA, 10V

额定功率Max 325 mW

直流电流增益hFE 100

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-3

外形尺寸

封装 SOT-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准

含铅标准无铅

PBHV8515QAZ引脚图与封装图

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PBHV8515QAZ	Nexperia 安世	单晶体管双极, AEC-Q101, NPN, 150 V, 75 MHz, 325 mW, 500 mA, 100 hFE	搜索库存