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PBSS4140U,115

PBSS4140U,115

数据手册.pdf
Nexperia(安世) 分立器件

Nexperia PBSS4140U,115 , NPN 晶体管, 1 A, Vce=40 V, HFE:200, 150 MHz, 3引脚 UMT封装

低饱和电压 NPN ,

一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。


欧时:
Nexperia PBSS4140U,115 , NPN 晶体管, 1 A, Vce=40 V, HFE:200, 150 MHz, 3引脚 UMT封装


立创商城:
NPN 40V 1A


得捷:
TRANS NPN 40V 1A SOT323


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Bipolar Transistors - BJT TRANS BISS TAPE-7


e络盟:
单晶体管 双极, 通用, NPN, 40 V, 150 MHz, 250 mW, 1 A, 300 hFE


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Trans GP BJT NPN 40V 1A Automotive 3-Pin SC-70 T/R


安富利:
Trans GP BJT NPN 40V 1A 3-Pin SC-70 T/R


PBSS4140U,115中文资料参数规格
技术参数

额定功率 0.25 W

针脚数 3

耗散功率 250 mW

增益频宽积 150 MHz

击穿电压集电极-发射极 40 V

最小电流放大倍数hFE 300 @500mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 300 @1mA, 5V

额定功率Max 350 mW

直流电流增益hFE 200

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 350 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323-3

外形尺寸

长度 2.2 mm

宽度 1.35 mm

高度 1 mm

封装 SOT-323-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

PBSS4140U,115引脚图与封装图
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在线购买PBSS4140U,115
型号 制造商 描述 购买
PBSS4140U,115 Nexperia 安世 Nexperia PBSS4140U,115 , NPN 晶体管, 1 A, Vce=40 V, HFE:200, 150 MHz, 3引脚 UMT封装 搜索库存
替代型号PBSS4140U,115
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: PBSS4140U,115

品牌: Nexperia 安世

封装:

当前型号

Nexperia PBSS4140U,115 , NPN 晶体管, 1 A, Vce=40 V, HFE:200, 150 MHz, 3引脚 UMT封装

当前型号

型号: PBSS4140U,135

品牌: 恩智浦

封装: SC-70 NPN

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PBSS4140U,115和PBSS4140U,135的区别