PBSS5220V,115
数据手册.pdfNexperia(安世)
分立器件
额定功率 0.9 W
耗散功率 900 mW
击穿电压集电极-发射极 20 V
最小电流放大倍数hFE 155 @1A, 2V
最大电流放大倍数hFE 220 @1mA, 2V
额定功率Max 900 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 900 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-666
长度 1.7 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.6 mm
封装 SOT-666
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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PBSS5220V,115 | Nexperia 安世 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT LO VCESATBISSTRANS TAPE-7 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: PBSS5220V,115 品牌: Nexperia 安世 封装: SOT-666 | 当前型号 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT LO VCESATBISSTRANS TAPE-7 | 当前型号 | |
型号: PBSS5220V 品牌: 恩智浦 封装: | 功能相似 | 20 V ,2 A PNP低VCEsat晶体管( BISS )晶体管 20 V, 2 A PNP low VCEsat BISS transistor | PBSS5220V,115和PBSS5220V的区别 |