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PBSS4032SPN,115

PBSS4032SPN,115

数据手册.pdf
Nexperia(安世) 分立器件

Nexperia PBSS4032SPN,115, 双 NPN + PNP 晶体管, 5.7 A, Vce=30 V, HFE:200 PNP, 300 NPN, 100 MHz, 8引脚

低饱和电压双 NPN/PNP ,

一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压双 NPN/PNP 双极结点晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。


立创商城:
1个NPN,1个PNP 30V 4.8A 5.7A


得捷:
TRANS NPN/PNP 30V 5.7A/4.8A 8SO


欧时:
Nexperia PBSS4032SPN,115, 双 NPN + PNP 晶体管, 5.7 A, Vce=30 V, HFE:200 PNP, 300 NPN, 100 MHz, 8引脚


艾睿:
Trans GP BJT NPN/PNP 30V 5.7A/4.8A 2300mW 8-Pin SO T/R


安富利:
Trans GP BJT NPN/PNP 30V 5.7A/4.8A 8-Pin SO T/R


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Trans GP BJT NPN/PNP 30V 5.7A/4.8A 8-Pin SO T/R


Verical:
Trans GP BJT NPN/PNP 30V 5.7A/4.8A 2300mW 8-Pin SO T/R


PBSS4032SPN,115中文资料参数规格
技术参数

额定功率 1.4 W

耗散功率 2.3 W

击穿电压集电极-发射极 30 V

额定功率Max 2.3 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOT-96-1

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.75 mm

封装 SOT-96-1

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

PBSS4032SPN,115引脚图与封装图
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在线购买PBSS4032SPN,115
型号 制造商 描述 购买
PBSS4032SPN,115 Nexperia 安世 Nexperia PBSS4032SPN,115, 双 NPN + PNP 晶体管, 5.7 A, Vce=30 V, HFE:200 PNP, 300 NPN, 100 MHz, 8引脚 搜索库存
替代型号PBSS4032SPN,115
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: PBSS4032SPN,115

品牌: Nexperia 安世

封装:

当前型号

Nexperia PBSS4032SPN,115, 双 NPN + PNP 晶体管, 5.7 A, Vce=30 V, HFE:200 PNP, 300 NPN, 100 MHz, 8引脚

当前型号

型号: PBSS4032SPN

品牌: 安世

封装: SOT-96

功能相似

低饱和电压双 NPN/PNP 晶体管,Nexperia一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压双 NPN/PNP 双极结点晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极晶体管,Nexperia

PBSS4032SPN,115和PBSS4032SPN的区别