PBSS4021SP,115

Nexperia(安世) 分立器件

双极晶体管阵列, PNP, -20 V, 2.3 W, -6.3 A, 250 hFE, SOIC

Bipolar BJT Transistor Array 2 PNP Dual 20V 6.3A 105MHz 2.3W Surface Mount 8-SO

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PBSS4021SP,115

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TRANS 2PNP 20V 6.3A 8SO

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Bipolar Transistors - BJT Dual PNP -20V -6.3A 0.73W 105MHz

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Trans GP BJT PNP 20V 6.3A 2300mW 8-Pin SO T/R

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Trans GP BJT PNP 20V 6.3A 8-Pin SO T/R

PBSS4021SP,115中文资料参数规格

技术参数

额定功率 1.4 W

针脚数 8

耗散功率 0.73 W

增益频宽积 105 MHz

击穿电压集电极-发射极 20 V

最小电流放大倍数hFE 150 @4A, 2V

额定功率Max 2.3 W

直流电流增益hFE 250

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

PBSS4021SP,115引脚图与封装图

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PBSS4021SP,115	Nexperia 安世	双极晶体管阵列, PNP, -20 V, 2.3 W, -6.3 A, 250 hFE, SOIC	搜索库存