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PBSS5130PAP,115

PBSS5130PAP,115

数据手册.pdf
Nexperia(安世) 分立器件

单晶体管 双极, 双PNP, -30 V, 125 MHz, 2 W, -1 A, 120 hFE

Bipolar BJT Transistor Array 2 PNP Dual 30V 1A 125MHz 510mW Surface Mount 6-HUSON-EP 2x2


立创商城:
2个PNP 30V 1A


得捷:
TRANS 2PNP 30V 1A 6HUSON


e络盟:
单晶体管 双极, 双PNP, -30 V, 125 MHz, 2 W, -1 A, 120 hFE


艾睿:
Trans GP BJT PNP 30V 1A 2000mW Automotive 6-Pin HUSON EP T/R


PBSS5130PAP,115中文资料参数规格
技术参数

额定功率 1.04 W

针脚数 6

耗散功率 2 W

击穿电压集电极-发射极 30 V

最小电流放大倍数hFE 170 @500mA, 2V

最大电流放大倍数hFE 350

额定功率Max 510 mW

直流电流增益hFE 120

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 DFN2020-6

外形尺寸

封装 DFN2020-6

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

PBSS5130PAP,115引脚图与封装图
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PBSS5130PAP,115 Nexperia 安世 单晶体管 双极, 双PNP, -30 V, 125 MHz, 2 W, -1 A, 120 hFE 搜索库存