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PBLS2022D,115

PBLS2022D,115

数据手册.pdf
Nexperia(安世) 分立器件

单晶体管 双极, NPN, PNP, -20 V, 130 MHz, 480 mW, -1.8 A, 420 hFE

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 1 PNP Pre-Biased, 1 PNP 50V, 20V 100mA, 1.8A 130MHz 760mW Surface Mount 6-TSOP


得捷:
TRANS PREBIAS 1PNP 1PNP 6TSOP


立创商城:
1个PNP-预偏置 100mA 1.8A 50V 20V


贸泽:
双极晶体管 - 预偏置 20V/1.6A LOADSWITCH IN SOT457


e络盟:
单晶体管 双极, NPN, PNP, -20 V, 130 MHz, 480 mW, -1.8 A, 420 hFE


艾睿:
Trans Digital BJT NPN/PNP 20V 1.8mA Automotive 6-Pin TSOP T/R


Win Source:
TRANS PNP PREBIAS/PNP 6TSOP


PBLS2022D,115中文资料参数规格
技术参数

额定功率 0.6 W

针脚数 6

耗散功率 480 mW

击穿电压集电极-发射极 50V, 20V

最小电流放大倍数hFE 220

最大电流放大倍数hFE 30

额定功率Max 760 mW

直流电流增益hFE 420

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 130 MHz

耗散功率Max 780 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TSOP-457

外形尺寸

长度 3.1 mm

宽度 1.7 mm

高度 1 mm

封装 TSOP-457

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

PBLS2022D,115引脚图与封装图
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PBLS2022D,115 Nexperia 安世 单晶体管 双极, NPN, PNP, -20 V, 130 MHz, 480 mW, -1.8 A, 420 hFE 搜索库存