PBSS4032SN,115
数据手册.pdfNexperia(安世)
分立器件
PBSS4032SN,115中文资料参数规格
技术参数
额定功率 1.4 W
击穿电压集电极-发射极 30 V
最小电流放大倍数hFE 250 @2A, 2V
额定功率Max 2.3 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
PBSS4032SN,115引脚图与封装图
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在线购买PBSS4032SN,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PBSS4032SN,115 | Nexperia 安世 | TRANS 2NPN 30V 5.7A 8SO | 搜索库存 |
替代型号PBSS4032SN,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PBSS4032SN,115 品牌： Nexperia 安世 封装： | 当前型号 | TRANS 2NPN 30V 5.7A 8SO | 当前型号 |
| 型号： PBSS4032SN 品牌： 安世 封装： | 功能相似 | TRANSISTOR, NPN/NPN, 30V, SO8; Module Configuration: Dual; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage Vbrc... | PBSS4032SN,115和PBSS4032SN的区别 |