PBSS4041SPN,115
数据手册.pdfNexperia(安世)
分立器件
Nexperia PBSS4041SPN,115, 双 NPN + PNP 晶体管, 6.7 A, Vce=60 V, HFE:75 NPN、80 PNP, 100 MHz, 8引脚 SOIC封装
低饱和电压双 NPN/PNP ，
一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压双 NPN/PNP 双极结点晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。
得捷:
TRANS NPN/PNP 60V 6.7A/5.9A 8SO
欧时:
Nexperia PBSS4041SPN,115, 双 NPN + PNP 晶体管, 6.7 A, Vce=60 V, HFE:75 NPN、80 PNP, 100 MHz, 8引脚 SOIC封装
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT Dual +/-60V +6.7A -5.9A 0.73W 130MHz
艾睿:
Trans GP BJT NPN/PNP 60V 6.7A/5.9A 2300mW 8-Pin SO T/R
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN/PNP 60V 6.7A/5.9A 8-Pin SO T/R
Win Source:
TRANS NPN/PNP 60V 6.7A/5.9A 8SO / Bipolar BJT Transistor Array NPN, PNP 60V 6.7A, 5.9A 130MHz, 110MHz 2.3W Surface Mount 8-SO
