PSMN5R2-60YLX

Nexperia(安世) 分立器件

晶体管, MOSFET, TrenchMOS, N沟道, 100 A, 60 V, 0.004 ohm, 10 V, 1.7 V

表面贴装型 N 通道 60 V 100A（Tc） 195W（Tc） LFPAK56，Power-SO8

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PSMN5R2-60YLX

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MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56

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晶体管, MOSFET, TrenchMOS, N沟道, 100 A, 60 V, 0.004 ohm, 10 V, 1.7 V

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin4+Tab LFPAK T/R

PSMN5R2-60YLX中文资料参数规格

技术参数

针脚数 4

漏源极电阻 0.004 Ω

耗散功率 195 W

阈值电压 1.7 V

输入电容 4739 pF

漏源极电压Vds 60 V

上升时间 44 ns

输入电容Ciss 6319pF @25VVds

下降时间 37 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 195W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 5

封装 SOT-669

外形尺寸

封装 SOT-669

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准无铅

PSMN5R2-60YLX引脚图与封装图

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