PMV65UNER

Nexperia(安世) 分立器件

N沟道 VDS=20V VGS=±8V ID=2.8A P=490mW

表面贴装型 N 通道 2.8A（Ta） 490mW（Ta） TO-236AB

得捷:
MOSFET N-CH 20V 2.8A TO236AB

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin TO-236AB T/R

安富利:
Trans MOSFET N-CH 20V 3.4A 3-Pin TO-236AB T/R

Verical:
Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R

Win Source:
MOSFET N-CH 20V TO-236AB

PMV65UNER中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 0.94 W

输入电容 291 pF

漏源极电压Vds 20 V

上升时间 23 ns

输入电容Ciss 291pF @10VVds

下降时间 12 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 490mW Ta, 940mW Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

PMV65UNER引脚图与封装图

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