PSMN0R9-25YLDX
数据手册.pdfNexperia(安世)
分立器件
针脚数 4
耗散功率 238 W
阈值电压 1.73 V
输入电容 6721 pF
漏源极电压Vds 25 V
上升时间 42 ns
输入电容Ciss 6721pF @12VVds
下降时间 27.9 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 238W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 5
封装 SOT-669
封装 SOT-669
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准
含铅标准
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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PSMN0R9-25YLDX | Nexperia 安世 | 晶体管, MOSFET, NextPowerS3, N沟道, 300 A, 25 V, 720 µohm, 10 V, 1.73 V | 搜索库存 |