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NXP 恩智浦 电子元器件分类
PDTC143EM中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 DFN

外形尺寸

封装 DFN

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

PDTC143EM引脚图与封装图
PDTC143EM引脚图

PDTC143EM引脚图

PDTC143EM封装图

PDTC143EM封装图

PDTC143EM封装焊盘图

PDTC143EM封装焊盘图

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型号 制造商 描述 购买
PDTC143EM NXP 恩智浦 NPN电阻配备晶体管; R1 = 4.7千欧, R2 = 4.7 kΩ的 NPN resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 kΩ, R2 = 4.7 kΩ 搜索库存
替代型号PDTC143EM
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: PDTC143EM

品牌: NXP 恩智浦

封装:

当前型号

NPN电阻配备晶体管; R1 = 4.7千欧, R2 = 4.7 kΩ的 NPN resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 kΩ, R2 = 4.7 kΩ

当前型号

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