极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
安装方式 Surface Mount
封装 DFN
封装 DFN
产品生命周期 Unknown
RoHS标准 RoHS Compliant

PDTC143EM引脚图

PDTC143EM封装图

PDTC143EM封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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PDTC143EM | NXP 恩智浦 | NPN电阻配备晶体管; R1 = 4.7千欧, R2 = 4.7 kΩ的 NPN resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 kΩ, R2 = 4.7 kΩ | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: PDTC143EM 品牌: NXP 恩智浦 封装: | 当前型号 | NPN电阻配备晶体管; R1 = 4.7千欧, R2 = 4.7 kΩ的 NPN resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 kΩ, R2 = 4.7 kΩ | 当前型号 | |
型号: DTC143ESA 品牌: 罗姆半导体 封装: | 功能相似 | 数字晶体管(内置电阻) Digital transistors built-in resistors | PDTC143EM和DTC143ESA的区别 | |
型号: DTC143EE 品牌: TAK Cheong 封装: | 功能相似 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A IC, 50V VBRCEO, 1-Element, NPN, Silicon, GREEN, SC-75A, 3 PIN | PDTC143EM和DTC143EE的区别 |