PHN203
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NXP
恩智浦
电子元器件分类
PHN203中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 6.3A
输入电容Ciss 560pF @20VVds
额定功率Max 2 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SO-8
外形尺寸
封装 SO-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
PHN203引脚图与封装图
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在线购买PHN203
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PHN203 | NXP 恩智浦 | 双N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET Dual N-channel TrenchMOS logic level FET | 搜索库存 |
替代型号PHN203
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PHN203 品牌： NXP 恩智浦 封装： | 当前型号 | 双N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET Dual N-channel TrenchMOS logic level FET | 当前型号 |
| 型号： PHN203,518 品牌： 恩智浦 封装： 8-SOIC | 功能相似 | MOSFET N-CH 30V 6.3A SOT96-1 | PHN203和PHN203,518的区别 |
