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NXP 恩智浦 分立器件
PEMH7中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 200 @1mA, 5V

额定功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-563

外形尺寸

封装 SOT-563

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

PEMH7引脚图与封装图
PEMH7引脚图

PEMH7引脚图

PEMH7封装图

PEMH7封装图

PEMH7封装焊盘图

PEMH7封装焊盘图

在线购买PEMH7
型号 制造商 描述 购买
PEMH7 NXP 恩智浦 NPN / NPN电阻配备晶体管; R1 = 4.7千欧, R2 =开放 NPN/NPN resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 kΩ, R2 = open 搜索库存
替代型号PEMH7
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: PEMH7

品牌: NXP 恩智浦

封装: SOT-563 NPN

当前型号

NPN / NPN电阻配备晶体管; R1 = 4.7千欧, R2 =开放 NPN/NPN resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 kΩ, R2 = open

当前型号

型号: NSBC114EDXV6T1G

品牌: 安森美

封装: SOT-563 NPN 50V 100mA 500mW

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PEMH7和NSBC114EDXV6T1G的区别

型号: NSBC114YPDXV6T1G

品牌: 安森美

封装: SOT-563 NPN 50V 100mA 500mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  NSBC114YPDXV6T1G  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 4.7 电阻比率, SOT-563

PEMH7和NSBC114YPDXV6T1G的区别

型号: NSBC114YDXV6T1G

品牌: 安森美

封装: SOT-563 NPN 50V 100mA 500mW

功能相似

双NPN偏置电阻晶体管 Dual NPN Bias Resistor Transistors

PEMH7和NSBC114YDXV6T1G的区别