PD55035S

ST Microelectronics 意法半导体分立器件

RF功率晶体管的LDMOST塑料系列 RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY

**HF to 2000 MHz Class AB Common Source - PowerSO-10RF**

**VHF / UHF radio and digital cellular BTS applications**

**HF to 2000MHz class AB common source - PowerFLAT**

VHF / UHF radio applications

**HF to 2000MHz class AB common cource - ceramic packages**

**UHF TV and digital cellular BTS applications**

**2 to 400MHz class AB common source N channel MOSFETs**

HF / SSB, FM / VHF broadband applications

**2 to 30MHz class AB linear, common emitter, HF / SSB**

PD55035S中文资料参数规格

技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 95.0 W

漏源击穿电压 40.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 7.00 A

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 PowerSO-10-4

外形尺寸

封装 PowerSO-10-4

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

PD55035S引脚图与封装图

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替代型号PD55035S

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： PD55035S 品牌： ST Microelectronics 意法半导体封装： PowerSO-10-4 N-Channel 7A	当前型号	RF功率晶体管的LDMOST塑料系列 RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY	当前型号
型号： PD55035-E 品牌：意法半导体封装： PowerSO-10RF 95000mW	功能相似	RF功率晶体管， LDMOST塑料系列N沟道增强模式横向的MOSFET RF POWER transistor, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETs	PD55035S和PD55035-E的区别
型号： PD55035S-E 品牌：意法半导体封装： PowerSO-10RF N-Channel 40V 7A 95000mW	功能相似	RF功率晶体管， LDMOST塑料系列N沟道增强模式横向的MOSFET RF POWER transistor, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETs	PD55035S和PD55035S-E的区别
型号： PD55035STR-E 品牌：意法半导体封装： PowerSO-10RF 95000mW	功能相似	RF功率晶体管， LDMOST塑料系列N沟道增强模式横向的MOSFET RF POWER transistor, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETs	PD55035S和PD55035STR-E的区别