PHX9NQ20T
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NXP
恩智浦
分立器件
PHX9NQ20T中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 200 V
额定电流 5.20 A
耗散功率 25 W
输入电容 959 pF
栅电荷 24.0 nC
漏源极电压Vds 200 V
连续漏极电流Ids 5.20 A
上升时间 19 ns
下降时间 15 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.3 mm
宽度 4.6 mm
高度 9.3 mm
封装 TO-220-3
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk, Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PHX9NQ20T引脚图与封装图
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在线购买PHX9NQ20T
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PHX9NQ20T | NXP 恩智浦 | N沟道晶体管的TrenchMOS N-channel TrenchMOS transistor | 搜索库存 |
替代型号PHX9NQ20T
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PHX9NQ20T 品牌： NXP 恩智浦 封装： TO-220-3 200V 5.2A 959pF | 当前型号 | N沟道晶体管的TrenchMOS N-channel TrenchMOS transistor | 当前型号 |
| 型号： PHX9NQ20T,127 品牌： 恩智浦 封装： TO-220F N-CH 200V 5.2A | 类似代替 | TO-220F N-CH 200V 5.2A | PHX9NQ20T和PHX9NQ20T,127的区别 |