PBSS3515M
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NXP
恩智浦
电子元器件分类
PBSS3515M中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 15 V
集电极最大允许电流 0.5A
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 DFN
外形尺寸
封装 DFN
其他
产品生命周期 Unknown
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PBSS3515M引脚图与封装图
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在线购买PBSS3515M
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PBSS3515M | NXP 恩智浦 | 15 V ， 0.5 A PNP低VCEsat晶体管（ BISS ）晶体管 15 V, 0.5 A PNP low VCEsat BISS transistor | 搜索库存 |
替代型号PBSS3515M
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PBSS3515M 品牌： NXP 恩智浦 封装： | 当前型号 | 15 V ， 0.5 A PNP低VCEsat晶体管（ BISS ）晶体管 15 V, 0.5 A PNP low VCEsat BISS transistor | 当前型号 |
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