PUMD14
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
PUMD14中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN+PNP
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
耗散功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TSSOP-6
外形尺寸
封装 TSSOP-6
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PUMD14引脚图与封装图
暂无图片
在线购买PUMD14
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PUMD14 | NXP 恩智浦 | 低VCEsat晶体管（ BISS ）晶体管 Low VCEsat BISS transistors | 搜索库存 |
替代型号PUMD14
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PUMD14 品牌： NXP 恩智浦 封装： TSSOP NPN+PNP | 当前型号 | 低VCEsat晶体管（ BISS ）晶体管 Low VCEsat BISS transistors | 当前型号 |
| 型号： PUMD14,115 品牌： 恩智浦 封装： 6-TSSOP NPN PNP 300mW | 完全替代 | TSSOP NPN+PNP 50V 100mA | PUMD14和PUMD14,115的区别 |