PEMH1
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NXP
恩智浦
分立器件
PEMH1中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-666
外形尺寸
封装 SOT-666
其他
产品生命周期 Unknown
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PEMH1引脚图与封装图 
PEMH1引脚图
PEMH1封装图
PEMH1封装焊盘图
在线购买PEMH1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PEMH1 | NXP 恩智浦 | NPN / NPN电阻配备晶体管; R 1 = 22千欧，R2 = 22千欧 NPN/NPN resistor-equipped transistors; R1 = 22 kΩ, R2 = 22 kΩ | 搜索库存 |
替代型号PEMH1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PEMH1 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT-666 NPN | 当前型号 | NPN / NPN电阻配备晶体管; R 1 = 22千欧，R2 = 22千欧 NPN/NPN resistor-equipped transistors; R1 = 22 kΩ, R2 = 22 kΩ | 当前型号 |
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| 型号： NSBC124EDXV6T5G 品牌： 安森美 封装： SOT-563 NPN 50V 100mA 500mW | 功能相似 | 双NPN偏置电阻晶体管R1 = 22千欧， R2 = 22 K· Dual NPN Bias Resistor Transistors R1 = 22 k, R2 = 22 k | PEMH1和NSBC124EDXV6T5G的区别 |
