PMD9010D
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
主动器件
PMD9010D中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
耗散功率 290 mW
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 0.1A
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TSOP
外形尺寸
封装 TSOP
其他
产品生命周期 Unknown
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PMD9010D引脚图与封装图
暂无图片
在线购买PMD9010D
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PMD9010D | NXP 恩智浦 | 低VCEsat晶体管（ BISS ）晶体管 Low VCEsat BISS transistors | 搜索库存 |
替代型号PMD9010D
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PMD9010D 品牌： NXP 恩智浦 封装： TSOP NPN 290mW | 当前型号 | 低VCEsat晶体管（ BISS ）晶体管 Low VCEsat BISS transistors | 当前型号 |
| 型号： PMD9010D,115 品牌： 恩智浦 封装： SC-74 NPN | 功能相似 | 门驱动器 MOSFET DRIVER TAPE 7 | PMD9010D和PMD9010D,115的区别 |
