PT5529B/L2-F中文资料参数规格
技术参数
波长 940 nm
峰值波长 940 nm
耗散功率 75 mW
击穿电压集电极-发射极 30 V
下降时间 15 µs
下降时间Max 15000 ns
上升时间Max 15000 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -25 ℃
耗散功率Max 75 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 Side View
外形尺寸
长度 4.8 mm
宽度 2.5 mm
高度 4.5 mm
封装 Side View
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
PT5529B/L2-F引脚图与封装图
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在线购买PT5529B/L2-F
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PT5529B/L2-F | Everlight Electronics 亿光 | 30 V 20 mA 940nm 灵敏 侧面 硅 光电晶体管 径向-3 | 搜索库存 |