PMCM6501VNE
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
PMCM6501VNE中文资料参数规格
技术参数
针脚数 6
漏源极电阻 0.015 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 556 mW
阈值电压 600 mV
漏源极电压Vds 12 V
连续漏极电流Ids 9.6A
工作温度Max 150 ℃
封装参数
引脚数 6
封装 WLCSP
外形尺寸
封装 WLCSP
其他
产品生命周期 Unknown
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
PMCM6501VNE引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PMCM6501VNE | NXP 恩智浦 | NXP PMCM6501VNE 晶体管, MOSFET, 沟槽式, N沟道, 7.3 A, 12 V, 0.015 ohm, 4.5 V, 600 mV 新 | 搜索库存 |