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PC28F00AG18FE

PC28F00AG18FE

数据手册.pdf
Micron(镁光) 主动器件

闪存存储器，Micron### 快闪存储器闪存 IC 是非易失 RAM，必须按块写入/擦除。 它有限定的写入周期的次数，适用于不经常更改的程序存储。

闪存存储器，

### 快闪存储器

闪存 IC 是非易失 RAM，必须按块写入/擦除。 它有限定的写入周期的次数，适用于不经常更改的程序存储。


得捷:
IC FLASH 1GBIT PAR 64EASYBGA


欧时:
Micron PC28F00AG18FE 闪存, 1 Gbyte 64M x 16 位, 并行接口, 96ns, 1.7 → 2 V, 64引脚 EBGA封装


艾睿:
NOR Flash Parallel 1.8V 1G-bit 64M x 16 96ns 64-Pin BGA Tray


安富利:
NOR Flash Parallel/Serial 1.8V 1Gbit 64M x 16bit 96ns 64-Pin BGA Tray


Chip1Stop:
NOR Flash Parallel/Serial 1.8V 1G-bit 64M x 16 96ns 64-Pin BGA Tray


Win Source:
128Mb, 256Mb, 512Mb, 1Gb StrataFlash Memory


PC28F00AG18FE中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 1.70V min

时钟频率 133 MHz

位数 16

存取时间 96 ns

存取时间Max 96 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -30 ℃

电源电压 1.7V ~ 2V

电源电压Max 2 V

电源电压Min 1.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 64

封装 BGA-64

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 8 mm

高度 1.2 mm

封装 BGA-64

物理参数

工作温度 -30℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Each

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2014/06/16

PC28F00AG18FE引脚图与封装图
PC28F00AG18FE引脚图

PC28F00AG18FE引脚图

PC28F00AG18FE封装图

PC28F00AG18FE封装图

PC28F00AG18FE封装焊盘图

PC28F00AG18FE封装焊盘图

在线购买PC28F00AG18FE
型号 制造商 描述 购买
PC28F00AG18FE Micron 镁光 闪存存储器，Micron ### 快闪存储器 闪存 IC 是非易失 RAM，必须按块写入/擦除。 它有限定的写入周期的次数，适用于不经常更改的程序存储。 搜索库存
替代型号PC28F00AG18FE
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： PC28F00AG18FE

品牌： Micron 镁光

封装： BGA 1.7V 64Pin

当前型号

闪存存储器，Micron### 快闪存储器闪存 IC 是非易失 RAM，必须按块写入/擦除。 它有限定的写入周期的次数，适用于不经常更改的程序存储。

当前型号

型号： MT28GU01GAAA1EGC-0SIT

品牌： 镁光

封装： BGA 1.7V 64Pin

完全替代

MICRON  MT28GU01GAAA1EGC-0SIT  闪存, 或非, 1 Gbit, 64M x 16位, 133 MHz, 并行, BGA, 64 引脚

PC28F00AG18FE和MT28GU01GAAA1EGC-0SIT的区别

型号： PC28F00AG18FF

品牌： 镁光

封装： TBGA

完全替代

128Mb, 256Mb, 512Mb, 1GB StrataFlash Memory

PC28F00AG18FE和PC28F00AG18FF的区别

型号： MT28GU01GAAA2EGC-0SIT

品牌： 镁光

封装： TBGA

功能相似

NOR Flash Parallel 1.8V 1Gbit 64M x 16 64Pin TBGA

PC28F00AG18FE和MT28GU01GAAA2EGC-0SIT的区别