PDTB113ZQAZ
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
PDTB113ZQAZ中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 50 V
最小电流放大倍数hFE 70 @50mA, 5V
额定功率Max 325 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 DFN-3
外形尺寸
高度 0.36 mm
封装 DFN-3
其他
产品生命周期 Unknown
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PDTB113ZQAZ引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PDTB113ZQAZ | NXP 恩智浦 | PDTB113Z_123Y_143XQA_SER - 50V, 500mA PNP resistor-equipped transistors | 搜索库存 |