PSMN0R9-25YLC,115
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NXP
恩智浦
分立器件
PSMN0R9-25YLC,115中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 272 W
漏源极电压Vds 25 V
上升时间 74 ns
输入电容Ciss 6775pF @12VVds
额定功率Max 272 W
下降时间 55 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 272W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 5
封装 SOT-669
外形尺寸
高度 1.1 mm
封装 SOT-669
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PSMN0R9-25YLC,115引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PSMN0R9-25YLC,115 | NXP 恩智浦 | Trans MOSFET N-CH 25V 100A 5Pin4+Tab LFPAK T/R | 搜索库存 |