PSMN070-200P,127
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NXP
恩智浦
分立器件
PSMN070-200P,127中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 250W Tc
漏源极电压Vds 200 V
输入电容Ciss 4570pF @25VVds
额定功率Max 250 W
耗散功率Max 250W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PSMN070-200P,127引脚图与封装图
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在线购买PSMN070-200P,127
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PSMN070-200P,127 | NXP 恩智浦 | Trans MOSFET N-CH 200V 35A 3Pin3+Tab TO-220AB Rail | 搜索库存 |
替代型号PSMN070-200P,127
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PSMN070-200P,127 品牌： NXP 恩智浦 封装： TO-220-3 | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 200V 35A 3Pin3+Tab TO-220AB Rail | 当前型号 |
| 型号： PSMN070-200P 品牌： 恩智浦 封装： SOT-78 N-CH 200V 35A 4.57nF | 功能相似 | N沟道晶体管的TrenchMOS N-channel TrenchMOS transistor | PSMN070-200P,127和PSMN070-200P的区别 |