PSMN8R0-40BS,118
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NXP
恩智浦
分立器件
PSMN8R0-40BS,118中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 86W Tc
漏源极电压Vds 40 V
输入电容Ciss 1262pF @12VVds
额定功率Max 86 W
耗散功率Max 86W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Lead Free
PSMN8R0-40BS,118引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| PSMN8R0-40BS,118 | NXP 恩智浦 | MOSFET N-CH 40V 7.6MOHM MOSFET | 搜索库存 |