PSMN1R8-40YLC,115
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NXP
恩智浦
分立器件
PSMN1R8-40YLC,115中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 272W Tc
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 100A
上升时间 37 ns
输入电容Ciss 6680pF @20VVds
额定功率Max 272 W
下降时间 31.7 ns
耗散功率Max 272W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-669
外形尺寸
封装 SOT-669
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PSMN1R8-40YLC,115引脚图与封装图
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