PSMN075-100MSEX
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
极性 N-CH
耗散功率 65 W
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 18A
上升时间 5.8 ns
输入电容Ciss 773pF @50VVds
下降时间 6.2 ns
耗散功率Max 65W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOT-1210
封装 SOT-1210
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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PSMN075-100MSEX | NXP 恩智浦 | PSMN075 系列 100 V 18 A 0.071 Ohm 表面贴装 N-沟道 MOSFET - LFPAK33 | 搜索库存 |