PSMN012-100YS,115
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NXP
恩智浦
分立器件
PSMN012-100YS,115中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
极性 N-Channel
耗散功率 130 W
阈值电压 4.6 V
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 60.0 A
上升时间 31 ns
输入电容Ciss 3500pF @50VVds
额定功率Max 130 W
下降时间 25 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 130W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 5
封装 SOT-669-4
外形尺寸
宽度 4.1 mm
封装 SOT-669-4
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PSMN012-100YS,115引脚图与封装图
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在线购买PSMN012-100YS,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PSMN012-100YS,115 | NXP 恩智浦 | Trans MOSFET N-CH 100V 60A 5Pin4+Tab LFPAK T/R | 搜索库存 |
替代型号PSMN012-100YS,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PSMN012-100YS,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT669 N-Channel 100V 60A | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 100V 60A 5Pin4+Tab LFPAK T/R | 当前型号 |
| 型号： HAT2174H-EL-E 品牌： 瑞萨电子 封装： LFPAK N-CH 100V 20A 2.28nF | 功能相似 | 硅N通道功率MOS FET电源开关 Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching | PSMN012-100YS,115和HAT2174H-EL-E的区别 |